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eeprom的上拉电阻多大合适？ |
| 作者：行星 栏目：单片机 |
我用AT24C04的EEPROM芯片，5V供电，上拉电阻为8.2K可是总是不行，请问是上拉电租的问题吗？上拉电阻应该用多大比较好？ |
| 2楼： | >>参与讨论 |
| 作者： liudewei 于 2005/7/4 16:19:00 发布：
5K左右就可以，我一直用10k没问题 |
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| 3楼： | >>参与讨论 |
| 作者： 香如故 于 2005/7/4 19:48:00 发布：
我没有接电阻,也可以用啊 51i/o口p1,p2,p3内部有上拉电阻 |
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| 4楼： | >>参与讨论 |
| 作者： qjy_dali 于 2005/7/4 19:49:00 发布：
那要看你想把I2C的速度定在多少 |
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| 5楼： | >>参与讨论 |
| 作者： d1276 于 2005/7/4 21:02:00 发布：
不会吧，是和51CPU连接吗？不用上拉电阻也可以的，能达到400K 你的程序有问题吧？ 如果能读出，不能写入，是不是写的时候，保护脚不是低电平？ |
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| 6楼： | >>参与讨论 |
| 作者： 行星 于 2005/7/5 9:17:00 发布：
谢谢楼上的，我用的是51单片机 我用的是51单片机的p1.2,p1.3两个i/o口，收和发都是多字节，每次16个字节，但是程序跑不通？不知哪里出了问题？ |
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| 7楼： | >>参与讨论 |
| 作者： xwj 于 2005/7/5 12:19:00 发布：
不是上拉电阻的问题，检查程序！ |
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| 8楼： | >>参与讨论 |
| 作者： 行星 于 2005/7/5 15:20:00 发布：
我的保存EEPROM子程序是这样的，可是不知为什么不对？ ;**************************************** ;将XRAM中的数据保存在对应键值的EEPROM中 ;占用内部资源： R0，R1，R2，R3，ACC，Cy, R4,R5,R6 ;入口参数：SUBA器件子地址,KRYNUM, SLA,NUMBYTE,MTD ;出口参数： ;使用前须定义变量： SLA 器件从地址 SUBA器件子地址 NUMBYTE读／写的字节数 ，MTD发送缓冲区 ;*************************************** SAVE_XRAM_EEPROM: MOV A,KEYNUM MOV B,#16 MUL AB MOV SUBA,A MOV SLA,#AT24C04 MOV NUMBYTE,#16 ;--------------------传送16字节到缓冲区 ; ;XRAM的起始地址0000H MOV WRITE_TMP,#00H MOV R1,#MTD ; MOV R5,#16 MOV R0,WRITE_TMP ;装发送缓冲区16个数据 W_T1: MOVX A,@R0 MOV @R1,A INC R0 INC R1 DJNZ R5,W_T1 MOV WRITE_TMP,R0 LCALL IWRNBYTE ;保存在EEPROM中 MOV A,SUBA INC A MOV SUBA,A ;装下一页地址到SUBA中 MOV R5,#16 MOV R1,#MTD MOV R0,WRITE_TMP ; MOV R6,WRITE_TMP CJNE R0,#00H,W_T1 ;共写入256个字节 RET ;###################################################################### 我的程序那里不对啊？怎么数据总是不对？ |
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