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TOSHIBA
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TOSHIBA [Toshiba Semiconductor]
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功率mosfet与场效应晶体管相比,可以说速度较快,其原因是由于用于on的时间。tf及下降时间较快。一般的是努力加快上升时间ton及下降时间幻,但实际上辐更重要。 mosfet是双极型的没有载流子积蓄时间,因此可以高速,但它用于off的时间。存在,这个是低速的。 功率mosfet的开关特性根据门驱动电路、条件变化很大,所以要进行高速的开关动作,需要很多的知识。 图1是将高耐压的功率mosfet 2sk894(500v、8a),采用和前面的晶体管相同条件地进行开关时的电路。门极电阻fg为100ω(此值并不是最适合的,这里是为了比较测试)。 图1 功率mosfet的开关特性测定电路 mosfet的门驱动电路,如果不能在门极一源极之间对电容ciss进行高速地充放电,则不能活用fet的高速开关特性。图2是开关时漏极输出波形和门极驱动输人电流ig(门极电压vgsgs≈7v)的波形。注意当vgs=0v后,mosfet到达off的时间toff拖长820ns。 图2 zsk894的开关特性 on/off的过渡时间(与rg和ciss有关)里,流过约50ma的门极
8.0A/500V