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当前位置:维库电子市场网>IC>ndd04n60zt4g 更新时间:2025-10-17 21:11:50

ndd04n60zt4g供应商优质现货

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ndd04n60zt4g价格行情

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历史最低报价:¥0.0000 历史最高报价:¥0.0000 历史平均报价:¥0.0000

ndd04n60zt4g中文资料

  • 标准包装:

    2,500

  • 类别:

    分离式半导体产品

  • 家庭:

    FET - 单

  • 系列:

    -

  • FET 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物

  • FET 特点:

    标准型

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    600V

  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:

    4.1A

  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:

    2 欧姆 @ 2A,10V

  • Id 时的 Vgs(th)(最大):

    4.5V @ 50µA

  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:

    29nC @ 10V

  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:

    640pF @ 25V

  • 功率 - 最大:

    83W

  • 安装类型:

    表面贴装

  • 封装/外壳:

    TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

  • 供应商设备封装:

    D-Pak

  • 包装:

    带卷 (TR)

  • 其它名称:

    NDD04N60ZT4G-NDNDD04N60ZT4GOSTR

  • 安森美半导体扩充功率开关产品阵容,推出高压MOSFET系列

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ndd04n60zt4g替代型号

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